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> p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究
p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究
p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究
资料类型:
PDF文件
关键词:
PECVD
SiN薄膜
反应源气体流量比
反应压强
资料大小:
277K
所属学科:
分子表征
来源:
2007年第六届中国功能材料及其应用学术会议暨2007国际功能材料专题论坛论文集(11.15-11.19,武汉)
简介:
以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜并进行了相关性能测试。系统地分析讨论了反应源气体流量比和反应压强对SiN薄膜介电常数、电学性能及界面特性的影响。在制备高质量的p-SiTFT栅绝缘层用SiN薄膜方面具有重要的参考价值。
作者:
张化福,刘汉法,祁康成
上传时间:
2008-09-11 15:27:51
下载次数:
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